技術(shù)參數(shù)

最高加速電壓200 kV

Schottky熱場發(fā)射電子槍

晶格分辨率 0.10 nm，點分辨率 0.24 nm

信息分辨率 0.16 nm，STEM分辨率 0.2 nm

最小束斑尺寸≤0.3nm  

TEM放大倍數(shù) 25×-1000k×，最大傾轉(zhuǎn)角 ≥40，≥25

X射線能譜分辨率 150eV   分辨范圍 Be-U 

應(yīng)用范圍

觀察各種材料的微觀結(jié)構(gòu)并對樣品進行納米尺度的微區(qū)分析，如：形貌觀察，高分辨電子顯微學(xué)研究（HRTEM），電子衍射（ED），會聚束電子衍射（CBED），衍射襯度成像（BF，DF），X射線能譜分析（EDS），原子序數(shù)Z-襯度成像（HAADF - STEM）等。

除磁性材料之外的任何無機材料，包括粉體、薄膜和塊材；不適用于有機和生物材料